Биполярный транзистор - BJT PNP Si

Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): - 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: - 1.6 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 200 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 300
Непрерывный коллекторный ток: - 0.6 A
Pd - рассеивание мощности: 625 mW