0
0

IGW50N60H3

Производитель: INFINEON
INFINEON

IGW50N60H3

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

120
На складе: 480 шт.
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 333 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA

Смотрите также

LM7805C
LM7805C
Линейный регулятор напряжения NRND, alternate is LM340T-5.0/NOPB
на складе: 10 шт.
11
LM2931AT-5.0/NOPB
LM2931AT-5.0/NOPB
LDO регулятор напряжения SERIES LDO REG
на складе: 35 шт.
24.26
BC857A.215
BC857A.215
Биполярные транзисторы - BJT Transistor 200mW
на складе: 3000 шт.
1
TOP222Y
TOP222Y
Преобразователь переменного тока в постоянный
на складе: 20 шт.
40