0
0

IGW50N60H3

Производитель: INFINEON
INFINEON

IGW50N60H3

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

120
На складе: 480 шт.
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 333 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA

Смотрите также

DS1816-10
DS1816-10
Контрольные цепи 3.3V Econoreset w/ Open Drain Output
на складе: 22 шт.
31.1
LP2950CZ-5
LP2950CZ-5
LDO регулятор напряжения 5.0/100Ma
на складе: 10 шт.
11
DS1233-5
DS1233-5
Контрольные цепи 5V EconoReset
на складе: 1 шт.
45
MC33269T-3.3
MC33269T-3.3
LDO регулятор напряжения 3.3V ADJ 800mA
на складе: 500 шт.
17.05