0
0

IGW50N60H3

Производитель: INFINEON
INFINEON

IGW50N60H3

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

120
На складе: 480 шт.
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 333 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA

Смотрите также

LP2950CZ-3.3NOPB
LP2950CZ-3.3NOPB
LDO регулятор напряжения 3.3/100Ma
на складе: 395 шт.
20
BC847B/T3
BC847B/T3
Биполярные транзисторы
на складе: 84 шт.
0.65
LP2950ACZ-3.0/NOPB
LP2950ACZ-3.0/NOPB
LDO регуляторы напряжения
на складе: 1590 шт.
34.18
BCP56-16
BCP56-16
Биполярные транзисторы
на складе: 100 шт.
3.25