0
0

IGW50N60H3

Производитель: INFINEON
INFINEON

IGW50N60H3

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

120
На складе: 480 шт.
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 333 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA

Смотрите также

KSP2907ABU
KSP2907ABU
Биполярный транзистор - BJT PNP Si
на складе: 1000 шт.
1.5
UA7805CKC
UA7805CKC
Линейный регулятор напряжения 5.0V 1500mA
на складе: 40 шт.
16.5
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
на складе: 30 шт.
180
BTA40-600B
BTA40-600B
Триаки 40 Amp 600 Volt
на складе: 6 шт.
150