0
0

IGW50N60H3

Производитель: INFINEON
INFINEON

IGW50N60H3

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

120
На складе: 480 шт.
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 333 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA

Смотрите также

LM285Z-2.5
LM285Z-2.5
Источники опорного напряжения 2.5V 10uA-20mA
на складе: 16 шт.
13
LM7805C
LM7805C
Линейный регулятор напряжения NRND, alternate is LM340T-5.0/NOPB
на складе: 10 шт.
11
MC33269T-3.3
MC33269T-3.3
LDO регулятор напряжения 3.3V ADJ 800mA
на складе: 500 шт.
17.05
DS1233-15
DS1233-15
Контрольные цепи 5V EconoReset
на складе: 81 шт.
33