0
0

IGW50N60H3

Производитель: INFINEON
INFINEON

IGW50N60H3

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W

120
На складе: 480 шт.
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 333 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA

Смотрите также

DS1833-5+
DS1833-5+
Контрольные цепи 5V EconoReset
на складе: 5 шт.
41.25
LM2940CT-5.0/NOPB
LM2940CT-5.0/NOPB
LDO регулятор напряжения 1A LDO REG
на складе: 5 шт.
35
BC857A.215
BC857A.215
Биполярные транзисторы - BJT Transistor 200mW
на складе: 3000 шт.
1
IRLML2402TR
IRLML2402TR
МОП-транзистор MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl
на складе: 3000 шт.
1