МОП-транзистор MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl

Технология: Si
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V
Id - непрерывный ток утечки: 1.2 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 250 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 700 mV
Vgs - напряжение затвор-исток: 12 V
Qg - заряд затвора: 2.6 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеивание мощности: 540 mW
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 1.3 S
Время спада: 4.8 ns
Время нарастания: 9.5 ns
Типичное время задержки выключения: 9.7 ns
Типичное время задержки при включении: 2.5 ns