0
0

2N4401BU

Производитель: ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR

2N4401BU

Биполярные транзисторы

2.02
На складе: 3500 шт.
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.75 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 250 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 300
Непрерывный коллекторный ток: 0.6 A
Pd - рассеивание мощности: 625 mW

Смотрите также

IRFIZ44N
IRFIZ44N
МОП-транзистор
на складе: 29 шт.
12
BC857A.215
BC857A.215
Биполярные транзисторы - BJT Transistor 200mW
на складе: 2999 шт.
1
DS1816-10
DS1816-10
Контрольные цепи 3.3V Econoreset w/ Open Drain Output
на складе: 22 шт.
31.1
LM2940CT-5.0/NOPB
LM2940CT-5.0/NOPB
LDO регулятор напряжения 1A LDO REG
на складе: 5 шт.
35