0
0

2N4401BU

Производитель: ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR

2N4401BU

Биполярные транзисторы

2.02
На складе: 3500 шт.
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.75 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 250 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 300
Непрерывный коллекторный ток: 0.6 A
Pd - рассеивание мощности: 625 mW

Смотрите также

BU508A
BU508A
Биполярные транзисторы
на складе: 20 шт.
24
MMBT2222A
MMBT2222A
Биполярный транзистор - BJT 1500W 20V 5%
на складе: 1769 шт.
0.5
LM2931AT-5.0/NOPB
LM2931AT-5.0/NOPB
LDO регулятор напряжения SERIES LDO REG
на складе: 35 шт.
24.26
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
на складе: 30 шт.
180