0
0

2N4401BU

Производитель: ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR

2N4401BU

Биполярные транзисторы

2.02
На складе: 3500 шт.
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.75 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 250 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 300
Непрерывный коллекторный ток: 0.6 A
Pd - рассеивание мощности: 625 mW

Смотрите также

IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
на складе: 30 шт.
180
TOP223YN
TOP223YN
Преобразователь переменного тока в постоянный 30W
на складе: 6 шт.
20
DS1233-15
DS1233-15
Контрольные цепи 5V EconoReset
на складе: 81 шт.
33
DS1813-5
DS1813-5
Контрольные цепи 5V EconoReset w/Pushbutton
на складе: 10 шт.
50