0
0

2N4401BU

Производитель: ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR

2N4401BU

Биполярные транзисторы

2.02
На складе: 3500 шт.
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.75 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 250 MHz
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 300
Непрерывный коллекторный ток: 0.6 A
Pd - рассеивание мощности: 625 mW

Смотрите также

LM285Z-2.5
LM285Z-2.5
Источники опорного напряжения 2.5V 10uA-20mA
на складе: 16 шт.
13
L4941BV
L4941BV
LDO регулятор напряжения 5.0V 1.0A Positive
на складе: 20 шт.
30
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
на складе: 30 шт.
180
IGW50N60H3
IGW50N60H3
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W
на складе: 480 шт.
120