SRAM асинхронная; 512Кx8бит; 4,5-5,5В; 20нс

Вид памяти SRAM, асинхронная
Структура памяти 512Кx8бит
Время доступа 20нс
Емкость памяти 4Мбит
Характеристики интегральных схем fast
Рабочее напряжение 4,5...5,5В